输入：2通道。
200/100/10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V。
外部输入：DC5/12/24V。
统一输出：晶体管(漏型)。
DC12/24VQ06CCPU-V-B初级教程。
0.1A/点。
0.4A/公共端。
40针连接器。
支持高分辨率设备。满足高速控制应用的脉冲输入、高速计数器模块产品群。
对高速脉冲串进行计数的高速计数器模块Q06CCPU-V-B
可与外部编码器组合使用进行定位等控制Q06CCPU-V-B初级教程。
可切换高计数速度，对从高速脉冲到上升沿/下降沿平缓的低频脉冲进行计数。
每个1通道配备2点的外部一致输出。
可根据用途选择“一致输出功能”、“连续比较功能”，实现外部设备的高速控制。（QD64D2）
提供多种功能，例如一致输出测试功能（使用连续比较功能时）、预设功能、锁存计数器功能，
以满足各种应用需求Q06CCPU-V-B初级教程。（ QD64D2）
输入脉冲的高计数速度可达8Mpps （差分输入、2相4倍频时）。
可在半导体、液晶制造等对位置精度要求高的设备中，
使用高分辨率编码器执行的位置跟踪。（ QD65PD2）SRAM存储卡。
RAM容量：512KB。分辨率262144PLS/resQ06CCPU-V-B(结构化文本篇)。
允许转速3600r/min。
轴的允许载荷：径向大为19.6N，轴向大为9.8N。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q06CCPU-V-B(结构化文本篇)。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域Q06CCPU-V-B(结构化文本篇)。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。容量：32M字节。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报报表及一般报告Q06CCPU-V-B编程手册。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
只需插入入SD存储卡，即可自动记录Q06CCPU-V-B初级教程。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。