SRAM存储卡。
RAM容量：512KB。SRAM存储器卡；容量：8M字节。
带保护罩的记忆卡。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换Q173CPUN-T使用手册。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行Q173CPUN-T
只需插入SD存储卡，即可自动记录Q173CPUN-T使用手册。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡Q173CPUN-T使用手册。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据，
毫无遗漏地记录的控制数据的变动Q173CPUN-T(基本面)。
因此，在发生故障时，可快速确定原因，进行的动作分析。扩展SRAM卡 4MB
只需插入SD存储卡，即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录Q173CPUN-T(基本面)。输入：4通道。
输入：DC-10~10V、DC0~20mA。
输出（分辨率）：0~4000、-4000~4000、0~12000、0~16000、-16000~16000Q173CPUN-T(基本面)。
转换速度度：500μs/1通道。
18点端子排。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔离型模拟量模块在实现高隔离电压的同时，
进一步提高了基准精度。
为使用通用可编程控制器进行过程控制提供支持。
流量计、压力表、其它传感器等可直接连接至模拟量输入，
控制阀也可直接连接至模拟量输出。
由于不需要外部隔离放大器，硬件和安装成本得以大幅降低。
高缘强度耐压 。
可隔离电气干扰，例如电流和噪音等。
标准型模拟量输入模块。
隔离型模拟量输入模块。
无需外部隔离放大器。
不使用通道间隔离型模拟量模块时。
使用了通道间隔离型模拟量模块时。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：26 k步。
处理速度：79ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩扩展到文件寄存器的所有区域Q173CPUN-T使用手册Q173CPUN-T编程手册。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。