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QE84WH电能测量模块(多电路)测量电路数:4个电路 三菱QE84WH

三菱QE84WH产品信息及技术参数:

品牌: 三菱
名称: 电能测量模块(多电路)
型号: QE84WH
三相3线式。
测量电路数:4个电路。
测量项目:耗电量(消耗、再生)、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群。
仅用一个模块,即可测量与电量(消耗及再生)、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值,亦可执行2种类型的上限/下限报警。
只有在ON状态期间,才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电量以及节拍单位内的电量。
在一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路,
使用3相4线式产品多可测量3个电路,
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量。
例如,可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载。
此外,可使用GX Works2 ( 1.90U版和更高版本),轻松地设置参数。

三菱QE84WH其它性能说明:
输入输出点数:4096点。
输入输出数据设备点数:8192点。
程序容量:124k。
基本命令处理速度(LD命令):0.075μS。
指令执行所需的时间和用户程序的长短、指令的种类和CPU执行速度是有很大关系,
一般来说,一个扫描的过程中,故障诊断时间,
通信时间,输入采样和输出刷新所占的时间较少,
执行的时间是占了大部分三菱QE84WHQE84WH
光电耦合器由两个发光二极度管和光电三极管组成。
发光二级管:在光电耦合器的输入端加上变化的电信号,
发光二极管就产生与输入信号变化规律相同的光信号。
输入接口电路工作过程:当开关合上,二极管发光,
然后三极管在光的照射下导通,向内部电路输入信号三菱QE84WH。
当开关断开,二极管不发光,三极管不导通。向内部电路输入信号。
也就是通过输入接口电路把外部的开关信号转化成PLC内部所能接受的数字信号。
光电三级管:在光信号的照射下导通,导通程度与光信号的强弱有关。
在光电耦合器的线性工作区内,输出信号与输入信号有线性关系三菱QE84WH。
用户程序存储容量:是衡量可存储用户应用程序多少的指标。
通常以字或K字为单位。16位二进制数为一个字,
每1024个字为1K字。PLC以字为单位存储指令和数据。
一般的逻辑操作指令每条占1个字。定时/计数,
移位指令占2个字。数据操作指令占2~4个字。输入输出点数:4096点三菱电能测量模块(多电路)。
输入输出元件数:8192点。
程序容量:130 K步。
处理速度:0.0095 μs。
程序存储器容量:520 KB。
支持USB和RS232。
支持安装记忆卡。
多CPU之间提供高速通信。
高速、数据处理。
实数(浮点)运算的处理速度实现了大幅度提高,
加法指令达到了0.014μs,
因此可支持要求高速、的加工数据等的运算处理三菱电能测量模块(多电路)。
此外,还新增加了双精度浮点运算指令,
简化了编程,降低了执行复杂算式时的运算误差。
缩短了固定扫描中断时间,装置化三菱电能测量模块(多电路)。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号,为装置的更加化作出贡献。分辨率262144PLS/res。
允许转速3600r/min。
轴的允许载荷:径向大为19.6N,轴向大为9.8N。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。QE84WH。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩扩展到文件寄存器的所有区域三菱QE84WH。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。


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