广州正凌自动化科技有限公司
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欧姆龙产品
欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD115
输入点数:16点。 输入电压:DC12V。 输入电流:4.1mA。
欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD215
输入点数:16点。 输入电压:DC24V。 输入电流:4.1mA。
欧姆龙
TTL输入/输出模块
C200H-MD501
输入点数:16点。 输入电压:DC5V。 输入电流:约3.5mA 。
欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME431
UM:3K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME831
UM:7K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
EPROM内存卡
C200H-MP831
UM:7K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR431
cmos-ram单元:内置备用电池。 UM:3K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR432
cmos-ram单元:电容器备份。 UM:3K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR831
cmos-ram单元:内置备用电池。 UM:7K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR832
cmos-ram单元:电容器备份。 UM:7K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
定位模块
C200H-NC111
控制轴数:1轴/单元。 位置精据容量:20/轴。 位置控制单元检出位置可由高度精度定位得以实现。
欧姆龙
定位模块
C200H-NC112
控制轴数:1轴/单元。 位置精据容量:20/轴。 使用自动梯形或S曲线加速或减速进行定位。
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