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欧姆龙
模拟量输入输出模块
C200H-MAD01

输入输出点数：分别2点。信号范围选择：分别2点独立。信号范围：1～5V、0～10V、-10～10V、4～20mA。

欧姆龙
定位模块
C200H-MC221

通过多任务G语言将2轴运动控制功能单元化。对象驱动器可连接模拟量输入的伺服驱动器。 ABS编码器对应可标准对应ABS型（对值输出型）编码器。

欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD115

输入点数：16点。输入电压：DC12V。输入电流：4.1mA。

欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD215

输入点数：16点。输入电压：DC24V。输入电流：4.1mA。

欧姆龙
TTL输入/输出模块
C200H-MD501

输入点数：16点。输入电压：DC5V。输入电流：约3.5mA 。

欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME431

UM：3K字； DM：1K字。要将程序写入EPROM，请使用标准PROM写入器。在EPROM存储器盒装入CPU之前，先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。

欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME831

UM：7K字； DM：1K字。要将程序写入EPROM，请使用标准PROM写入器。在EPROM存储器盒装入CPU之前，先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。

欧姆龙
EPROM内存卡
C200H-MP831

UM：7K字； DM：1K字。要将程序写入EPROM，请使用标准PROM写入器。在EPROM存储器盒装入CPU之前，先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。

欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR431

cmos-ram单元：内置备用电池。 UM：3K字； DM：1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR432

cmos-ram单元：电容器备份。 UM：3K字； DM：1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR831

cmos-ram单元：内置备用电池。 UM：7K字； DM：1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR832

cmos-ram单元：电容器备份。 UM：7K字； DM：1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。

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